Silicon Microelectronics Wafer

Silicon Microelectronics Wafer

See ränisubstraatseeria on hoolikalt konstrueeritud, et pakkuda parimat füüsilist ja elektrilist alustrakendusespetsiifilised integraallülitused (ASIC)ja diskreetsed toiteseadmed. Hõlmab kogu spektri alates2-tolline (50 mm) kuni 12-tolline (300 mm), keskendub meie materjaliarhitektuur maapinna kahjustuste ja võre ebakorrapärasuste kõrvaldamisele, tagades, et vahvel toimib põlise peremehena suure-energiaga ioonide implanteerimise ja mitme-kihilise epitaksiaalse kasvu ajal.

Peamised tehnilised eelised:

Soojus{0}}mehaaniline vastupidavus:Mõeldud ellu jääma kõige karistavamaltsoojuseelarved, säilitavad need substraadid oma struktuurse terviklikkuse ja tasasuse korduvate kõrgel -temperatuuril oksüdatsiooni ja kiire termilise lõõmutamise (RTA) tsüklite kaudu. See vastupidavus hoiab ära võre libisemise ja kõverdumise, tagades sub-mikronilise joondamise täpsuse suure-tihedusega loogika jaToite-IC (IGBT/MOSFET)väljamõeldis.

Täiustatud pinnamorfoloogia:Iga vahvel läbib patenteeritudKeemiline{0}}mehaaniline tasandamine (CMP)ülimadala pinnakareduse ja optimeeritud hüdrofoobsuse saavutamiseks-. See suurepärane morfoloogia hõlbustab fotolitograafia laiemat protsessiakent, võimaldades kriitiliste tunnuste moodustamist suure täpsusega ja vähendatud serva{2}}helmeste häiretega.

Strateegiline partii sünkroonimine:Globaalsete valukodade pidevate tootmisvajaduste toetamiseks rakendameülitäpne{0}}dopingukontrollja hapniku/süsiniku läve juhtimine. See sünkroniseerimine tagab, et eritakistuse profiilid jäävad mitme tootmistsükli jooksul identseks, teisendades otse stabiliseeritud lävipingeks ja täiustatudvahvli-taseme tootlus (WLY)tööstus- ja autotööstuse{0}}elektroonika jaoks.

Kuum tags: räni mikroelektroonika vahvel, Hiina räni mikroelektroonika vahvlite tootjad, tarnijad, tehas