Termilise oksüdatsiooniga valmis silikoonplaadid

Termilise oksüdatsiooniga valmis silikoonplaadid

Need räniplaadid on hoolikaltvalmistatud toetama oksüdatsiooniprotsesse, mis on kõrge puhtusastmega-mall kriitiliste dielektriliste kihtide moodustamiseks. Üli-puhta, osakeste-vaba pinnaga substraadid on loodud arenema ahju oksüdatsiooni intensiivse termilise eelarvega. Ränivõre aatomitase{5}}tasand on põhieeldus suure jõudlusega-värava isolaatorite ja isolatsioonioksiidide saavutamiseks tänapäevastes analoog- ja võimsus-IC arhitektuurides.

Peamised tehnilised eelised:

Ühtlane oksiidkihi moodustumine:Theühtlane pinnakvaliteet tagab ühtlase oksiidikihi moodustumise, minimeerides oksiidi paksuse kõikumist kogu vahvli läbimõõdu ulatuses. Säilitades rangelt kontrollitud mikro-kareduse (Ra) ja sub-mikronilise kogupaksuse variatsiooni (TTV), hõlbustavad meie vahvlid prognoositavat oksüdatsioonikiirust. See geomeetriline täpsus on oluline lävipinge stabiliseerimiseks ja õhukeste -kiletransistoride töökindluse suurendamiseks.

Liidese minimeeritud oleku tihedus:Need vahvlid, mis on konstrueeritud tootma kõrget{0}}siO-liidest, läbivad spetsiaalsed puhastusprotokollid, et eemaldada metallilised saasteained ja orgaanilised jäägid. Selle tulemuseks on madalLiidese oleku tihedus, mis vähendab otseselt kandja lõksu ja parandab lõpliku pooljuhtseadme lülituskiirust ja pikaajalist{0}}stabiilsust.

Termomehaaniline vastupidavus:Need vahvlid on spetsiaalselt optimeeritud pika-tsükliga ahjuprotsesside jaoks ning neil on suurepärane vastupidavus termilisele pingele. Materjalsäilitab terviklikkuse kõrgel{0}}temperatuuriliste protsesside ajal, vältides võre libisemist ja kõverdumist üleminekul ümbritsevast keskkonnast oksüdatsioonitemperatuurile. See struktuurne stabiilsus tagab vahvli ühilduvuse järgnevate täppislitograafia ja söövitamisetappidega.

Kuum tags: termilise oksüdatsiooniga valmis ränivahvlid, Hiina termilise oksüdatsiooniga valmis ränivahvlite tootjad, tarnijad, tehas